IRF4104S参数：MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
类别：分立半导体产品-FET - 单设计资源： IRF4104LSaberModel IRF4104LSpiceModel标准包装：50系列：HEXFET®包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：40V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：75A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：5.5毫欧@75A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：100nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：3000pF@25V功率-最大值：140W安装类型：表面贴装封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：D2PAK
