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IRF5210STRR

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IRF5210STRR
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IRF5210STRR参数：MOSFET P-CH 100V 40A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
设计资源： IRF5210SPBFSaberModel IRF5210SPBFSpiceModel
标准包装：800
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：40A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：60毫欧@24A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：180nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2700pF@25V
功率-最大值：3.8W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK

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