IRF5305STRR参数:MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
类别:分立半导体产品-FET - 单设计资源: IRF5305SSaberModel IRF5305SSpiceModel标准包装:800系列:HEXFET®包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETP通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):55V电流-连续漏极(Id)(25°C时):31A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):60毫欧@16A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):63nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):1200pF@25V功率-最大值:3.8W安装类型:表面贴装封装:TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB供应商器件封装:D2PAK