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IRF530NSTRRPBF

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IRF530NSTRRPBF
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IRF530NSTRRPBF参数：MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
设计资源： IRF530NSSaberModel IRF530NSSpiceModel
标准包装：800
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：17A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：90毫欧@9A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：37nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：920pF@25V
功率-最大值：3.8W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK

IRF530NSTRRPBF

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