IRF540STRL参数:MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
类别:分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图: IR(F,L,Z)SeriesSide1 IR(F,L,Z)SeriesSide2标准包装:800系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):100V电流-连续漏极(Id)(25°C时):28A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):77毫欧@17A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):72nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):1700pF@25V功率-最大值:3.7W安装类型:表面贴装封装:TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB供应商器件封装:D2PAK