IRF5800TR参数：MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
类别：分立半导体产品-FET - 单设计资源： IRF5800SaberModel IRF5800SpiceModel标准包装：3,000系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：85毫欧@4A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：17nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：535pF@25V功率-最大值：2W安装类型：表面贴装封装：6-TSOP（0.059"，1.50mm宽）供应商器件封装：Micro6?（TSOP-6）
