IRF5801TR

IRF5801TRPBF
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IRF5801TRPBF参数：MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
设计资源： IRF5801TRPBFSaberModel IRF5801TRPBFSpiceModel
标准包装：3,000
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：600mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：2.2欧姆@360mA，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：3.9nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：88pF@25V
功率-最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装：6-TSOP（0.059"，1.50mm宽）
供应商器件封装：Micro6?（TSOP-6）