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IRF5802TR

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IRF5802TR
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IRF5802TR参数：MOSFET N-CH 150V 900MA 6-TSOP

类别：分立半导体产品-FET - 单
设计资源： IRF5802TRSaberModel IRF5802TRSpiceModel
标准包装：1
系列：HEXFET®
包装：剪切带(CT)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：150V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：900mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.2欧姆@540mA，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：6.8nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：88pF@25V
功率-最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装：6-TSOP（0.059"，1.50mm宽）
供应商器件封装：Micro6?（TSOP-6）

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