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IRF5803D2TRPBF

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IRF5803D2TRPBF
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IRF5803D2TRPBF参数：MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
设计资源： IRF5803D2SaberModel IRF5803D2SpiceModel
标准包装：1
系列：FETKY™
包装：剪切带(CT)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：二极管（隔离式）
漏源极电压(Vdss)：40V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.4A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：112毫欧@3.4A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：37nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1110pF@25V
功率-最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SO

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