IRF5803D2参数：MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 单设计资源： IRF5803D2SaberModel IRF5803D2SpiceModel标准包装：95系列：FETKY™包装：管件FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：二极管（隔离式）漏源极电压(Vdss)：40V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：112毫欧@3.4A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：37nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1110pF@25V功率-最大值：2W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SO
