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IRF5806

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相关型号： IRF5805TRPBF IRF5805TR IRF5804TRPBF IRF5804TR IRF5803TRPBF IRF5803TR

IRF5806
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IRF5806参数：MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：100
系列：HEXFET®
包装：管件
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：86 毫欧 @ 4A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：11.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：594pF @ 15V
功率 - 最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装：6-TSOP（0.059"，1.50mm 宽）
供应商器件封装：Micro6?（TSOP-6）

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