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IRF5810

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IRF5810TR
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IRF5810TR参数：MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
设计资源： IRF5810TRSaberModel IRF5810TRSpiceModel
标准包装：3,000
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：2个P沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.9A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：90毫欧@2.9A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：9.6nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：650pF@16V
功率-最大值：960mW
安装类型：表面贴装
封装：6-TSOP（0.059"，1.50mm宽）
供应商器件封装：Micro6?（TSOP-6）

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