IRF5850

IRF5850TR
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IRF5850TR参数：MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOP

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：2 个 P 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：135 毫欧 @ 2.2A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：5.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：320pF @ 15V
功率 - 最大值：960mW
安装类型：表面贴装
封装：6-TSOP（0.059"，1.50mm 宽）
供应商器件封装：Micro6?（TSOP-6）