IRF5850TRPBF参数：MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
类别：分立半导体产品-FET - 阵列PCNObsolescence： MultipleDevices14/Dec/2012标准包装：3,000系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：2个P沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：135毫欧@2.2A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：5.4nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：320pF@15V功率-最大值：960mW安装类型：表面贴装封装：6-TSOP（0.059"，1.50mm宽）供应商器件封装：Micro6?（TSOP-6）
