IRF5851TRPBF参数:MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6-TSOP
类别:分立半导体产品-FET - 阵列PCNObsolescence: Gen8Rev208/Jul/2011标准包装:3,000系列:HEXFET®包装:带卷(TR)FET类型:N和P沟道FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):2.7A,2.2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):90毫欧@2.7A,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.25V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):6nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):400pF@15V功率-最大值:960mW安装类型:表面贴装封装:6-TSOP(0.059",1.50mm宽)供应商器件封装:Micro6?(TSOP-6)