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IRF5852TR

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相关型号： IRF5851TRPBF IRF5851TR IRF5850TRPBF IRF5850TR IRF5810TRPBF IRF5810TR

IRF5852TR
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IRF5852TR参数：MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
设计资源： IRF5852TRSaberModel IRF5852TRSpiceModel
标准包装：3,000
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.7A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：90毫欧@2.7A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.25V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：6nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：400pF@15V
功率-最大值：960mW
安装类型：表面贴装
封装：6-TSOP（0.059"，1.50mm宽）
供应商器件封装：Micro6?（TSOP-6）

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