IRF6100参数:MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET
类别:分立半导体产品-FET - 单设计资源: IRF6100SaberModel IRF6100SpiceModel标准包装:6,000系列:HEXFET®包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETP通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):5.1A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):65毫欧@5.1A,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):21nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss):1230pF@15V功率-最大值:2.2W安装类型:表面贴装封装:4-FlipFet?供应商器件封装:4-FlipFet?