IRF6150参数：MOSFET 2P-CH 20V 7.9A FLIP-FET
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：4,000系列：HEXFET®包装：带卷 (TR)FET 类型：2 个 P 沟道（双）FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：7.9A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：36 毫欧 @ 7.9A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-功率 - 最大值：3W安装类型：表面贴装封装：16-FlipFet?供应商器件封装：16-FlipFet?
