IRF6156参数:MOSFET 2N-CH 20V 6.5A FLIP-FET
类别:分立半导体产品-FET - 阵列标准包装:6,000系列:-包装:散装FET 类型:2 个 N 沟道(双)FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):20V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):6.5A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):40 毫欧 @ 6.5A,4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):18nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):950pF @ 15V功率 - 最大值:2.5W安装类型:表面贴装封装:6-FlipFet?供应商器件封装:6-FlipFet?