IRF6216PBF参数:MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)设计资源: IRF6216PBFSaberModel IRF6216PBFSpiceModel标准包装:95系列:HEXFET®包装:管件FET类型:MOSFETP通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):150V电流-连续漏极(Id)(25°C时):2.2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):240毫欧@1.3A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):49nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):1280pF@25V功率-最大值:2.5W安装类型:表面贴装封装:8-SOIC(0.154",3.90mm宽)供应商器件封装:8-SO