IRF6217TRPBF参数:MOSFET P-CH 150V 0.7A 8-SOIC
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)设计资源: IRF6217TRPBFSaberModel IRF6217TRPBFSpiceModel标准包装:4,000系列:HEXFET®包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETP通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):150V电流-连续漏极(Id)(25°C时):700mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):2.4欧姆@420mA,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):9nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):150pF@25V功率-最大值:2.5W安装类型:表面贴装封装:8-SOIC(0.154",3.90mm宽)供应商器件封装:8-SO