IRF630FP参数:MOSFET N-CH 200V 9A TO-220FP
类别:分立半导体产品-FET - 单其它有关文件: IRF630FPViewAllSpecifications标准包装:50系列:MESHOVERLAY™包装:管件FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):200V电流-连续漏极(Id)(25°C时):9A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):400毫欧@4.5A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):45nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):700pF@25V功率-最大值:30W安装类型:通孔封装:TO-220-3整包供应商器件封装:TO-220FP