IRF631

IRF630
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IRF630参数：MOSFET N-CH 200V 9A TO-220

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： IRF630ViewAllSpecifications
标准包装：50
系列：MESHOVERLAY™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：9A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：400毫欧@4.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：45nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：700pF@25V
功率-最大值：75W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB
工具箱：497-8004-KIT-ND-KITMOSFETTHRUHOLE9VAL5EA