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IRF640B

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IRF640B 优势库存
FSC
TO-220
2023+
1080
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IRF640B
FSC
TO220
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IRF640BTO220
TO220
2023+
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品质保证,价格优惠
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IRF640B
FAIRCHILD
TO-220
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25000
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IRF640BTU
FAIRCHILD
TO-220
2023+
10178
深圳现货，专业配套
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IRF640BTO220
TO220
2023+
7104
工厂配单，价格优势
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IRF640B(FQP19N20C)
Fairchild
TO-220
2023+
29927
全新原装现货，特价热卖
IRF640B
FAIRCHILD
TO-220
2023+
29926
全新原装现货，价格优惠
IRF640B
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全新原装现货
2023+
3000
IRF640B
IR
TO-220
2023+
13520
原装现货
相关型号： IRF640,127 IRF640 IRF634STRRPBF IRF634STRR IRF634STRL IRF634SPBF

IRF640
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IRF640参数：MOSFET N-CH 200V 18A TO-220

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：50
系列：MESH OVERLAY™
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：200V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：18A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：180 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：72nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1560pF @ 25V
功率 - 最大值：125W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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