IRF6601参数：MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： DirectFETMOSFET4PsChecklist标准包装：1系列：HEXFET®包装：剪切带(CT)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：26A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：3.8毫欧@26A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：45nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：3440pF@15V功率-最大值：3.6W安装类型：表面贴装封装：DirectFET?等容MT供应商器件封装：DIRECTFET?MT
