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IRF6602

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相关型号： IRF6601 IRF644STRRPBF IRF644STRR IRF644STRLPBF IRF644STRL IRF644SPBF

IRF6602
PDF资料下载

IRF6602参数：MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： DirectFETMOSFET4PsChecklist
标准包装：1
系列：HEXFET®
包装：剪切带(CT)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：11A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：13毫欧@11A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.3V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：18nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1420pF@10V
功率-最大值：2.3W
安装类型：表面贴装
封装：DirectFET?等容MQ
供应商器件封装：DIRECTFET?MQ

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