IRF6602参数：MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： DirectFETMOSFET4PsChecklist标准包装：1系列：HEXFET®包装：剪切带(CT)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：11A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：13毫欧@11A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：18nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1420pF@10V功率-最大值：2.3W安装类型：表面贴装封装：DirectFET?等容MQ供应商器件封装：DIRECTFET?MQ
