IRF6641TR1PBF参数：MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)产品目录绘图： IRHexfetCircuit设计资源： IRF6641TR1PBFSaberModel IRF6641TR1PBFSpiceModel标准包装：1,000系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：200V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：59.9毫欧@5.5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.9V@150µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：48nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：2290pF@25V功率-最大值：2.8W安装类型：表面贴装封装：DirectFET?等容MZ供应商器件封装：DIRECTFET?MZ
IORQFN2023+5256全新进口原装现货，即时发货
