IRF6775MTRPBF参数：MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)设计资源： IRF6775MTR1PBFSaberModel IRF6775MTR1PBFSpiceModel标准包装：4,800系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：150V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.9A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：56毫欧@5.6A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@100µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：36nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1411pF@25V功率-最大值：2.8W安装类型：表面贴装封装：DirectFET?等容MZ供应商器件封装：DIRECTFET?MZ
