IRF6802SDTRPBF参数：MOSFET 2N CH 25V 16A SA
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)标准包装：4,800系列：DirectFET®包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：25V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：16A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：4.2毫欧@16A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.1V@35µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：13nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1350pF@13V功率-最大值：1.7W安装类型：表面贴装封装：DirectFET?等容SA供应商器件封装：DIRECTFET?SA
