IRF6811STRPBF参数：MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)设计资源： IRF6811STR1PBFSaberModel IRF6811STR1PBFSpiceModel标准包装：4,800系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：25V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：19A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：3.7毫欧@19A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.1V@35µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：17nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1590pF@13V功率-最大值：2.1W安装类型：表面贴装封装：DirectFET?等容SQ供应商器件封装：DIRECTFET?SQ
