IRF6892STR1PBF参数:MOSFET N-CH 25V 28A S3
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)标准包装:1,000系列:DirectFET®包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):25V电流-连续漏极(Id)(25°C时):28A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):1.7毫欧@28A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.1V@50µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):25nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):2510pF@13V功率-最大值:2.1W安装类型:表面贴装封装:DirectFET?等容S3C供应商器件封装:DIRECTFET?S3C