IRF7103QPBF

IRF7103Q
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IRF7103Q参数：MOSFET N-CH 50V 3A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
设计资源： IRF7103QSaberModel IRF7103QSpiceModel
标准包装：95
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：50V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：130毫欧@3A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：15nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：255pF@25V
功率-最大值：2.4W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SO