IRF7105TRP

IRF7105TRPBF
PDF资料下载

IRF7105TRPBF参数：MOSFET N+P 25V 2.3A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
标准包装：4,000
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：N和P沟道
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：25V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.5A，2.3A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：100毫欧@1A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：27nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：330pF@15V
功率-最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SO