IRF7210TRPBF参数：MOSFET P-CH 12V 16A 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence： MultipleDevices14/Dec/2012标准包装：4,000系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：12V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：16A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：7毫欧@16A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：600mV@500µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：212nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：17179pF@10V功率-最大值：2.5W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SO
