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IRF7233TRPBF

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IRF7233TRPBF
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IRF7233TRPBF参数：MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
设计资源： IRF7233SaberModel IRF7233SpiceModel
PCNObsolescence： Gen8Rev208/Jul/2011
标准包装：4,000
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：12V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：9.5A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：20毫欧@9.5A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：600mV@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：74nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：6000pF@10V
功率-最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SO

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