IRF7311PBF参数：MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)设计资源： IRF7311TRPBFSaberModel IRF7311TRPBFSpiceModel标准包装：95系列：HEXFET®包装：管件FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6.6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：29毫欧@6A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：700mV@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：27nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：900pF@15V功率-最大值：2W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SO
