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IRF7317

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IRF7317TRPBF 优势库存
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SOP8
2023+
93350
全新原厂原装现货
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品质保证,价格优惠
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Infineon Techn..
8-SO
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全新原装现货质量保证
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8-SO
2023+
500
全新原装现货质量保证
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IRF7317
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SOP8
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1500
品质保证,价格优惠
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IRF7317TPP13F
TR
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4472
工厂配单，价格优势
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IRF7317TRPBF
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SOIC-8
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晶体管
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晶体管
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全新原装现货
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3000
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进口原装 库房现货
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库房现货原装进口
2023+
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相关型号： IRF7316TRPBF IRF7316TR IRF7316QTRPBF IRF7316PBF IRF7316GTRPBF IRF7314TRPBF

IRF7317PBF
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IRF7317PBF参数：MOSFET N+P 20V 5.3A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
标准包装：95
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：N和P沟道
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6.6A，5.3A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：29毫欧@6A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：700mV@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：27nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：900pF@15V
功率-最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SO

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