IRF7325PBF参数：MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 阵列PCNObsolescence： Gen8Rev208/Jul/2011标准包装：95系列：HEXFET®包装：管件FET类型：2个P沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：12V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：7.8A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：24毫欧@7.8A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：900mV@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：33nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：2020pF@10V功率-最大值：2W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SO
