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IRF7338

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IRF7338PBF
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IRF7338PBF参数：MOSFET N+P 12V 6.3A/3A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
PCNObsolescence： Gen8Rev208/Jul/2011
标准包装：95
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：N和P沟道
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：12V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6.3A，3A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：34毫欧@6A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：8.6nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：640pF@9V
功率-最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SO

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