IRF7338PBF参数：MOSFET N+P 12V 6.3A/3A 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 阵列PCNObsolescence： Gen8Rev208/Jul/2011标准包装：95系列：HEXFET®包装：管件FET类型：N和P沟道FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：12V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6.3A，3A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：34毫欧@6A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：8.6nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：640pF@9V功率-最大值：2W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SO