IRF7341QPBF

IRF7341QTRPBF
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IRF7341QTRPBF参数：MOSFET N-CH DUAL 55V 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
设计资源： IRF7341QTRPBFSaberModel IRF7341QTRPBFSpiceModel
标准包装：1
系列：HEXFET®
包装：剪切带(CT)
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：55V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：5.1A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：50毫欧@5.1A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：44nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：780pF@25V
功率-最大值：2.4W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SO