IRF7343Q

IRF7343QTRPBF
PDF资料下载

IRF7343QTRPBF参数：MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：1
系列：HEXFET®
包装：剪切带 (CT)
FET 类型：N 和 P 沟道
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：55V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：4.7A，3.4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：50 毫欧 @ 4.7A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：36nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：740pF @ 25V
功率 - 最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SO