IRF7343QTRPBF参数：MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：1系列：HEXFET®包装：剪切带 (CT)FET 类型：N 和 P 沟道FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：55V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：4.7A，3.4A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：50 毫欧 @ 4.7A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：36nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：740pF @ 25V功率 - 最大值：2W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装：8-SO
