IRF7350PBF参数：MOSFET N+P 100V 1.5A 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：95系列：HEXFET®包装：管件FET 类型：N 和 P 沟道FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：100V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.1A，1.5A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：210 毫欧 @ 2.1A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：28nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：380pF @ 25V功率 - 最大值：2W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装：8-SO
