IRF7351PBF参数:MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC
类别:分立半导体产品-FET - 阵列产品培训模块: HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)标准包装:95系列:HEXFET®包装:管件FET类型:2个N沟道(双)FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):60V电流-连续漏极(Id)(25°C时):8A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):17.8毫欧@8A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V@50µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):36nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):1330pF@30V功率-最大值:2W安装类型:表面贴装封装:8-SOIC(0.154",3.90mm宽)供应商器件封装:8-SO