IRF7389参数:MOSFET N+P 30V 5.3A 8-SOIC
类别:分立半导体产品-FET - 阵列标准包装:95系列:HEXFET®包装:管件FET 类型:N 和 P 沟道FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):30V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):7.3A,5.3A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):29 毫欧 @ 5.8A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):33nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):650pF @ 25V功率 - 最大值:2.5W安装类型:表面贴装封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商器件封装:8-SO