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IRF740STRL

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IRF740STRLPBF 优势库存
IR
TO-263(D2PAK)
2023+
5950
全新原厂原装现货
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IRF740STRL 优势库存
FSC
TO263
2023+
4956
原装现货，价格优势
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IRF740STRLPBF
Vishay Silicon..
D2PAK（TO-263）
2023+
12361
全新原装进口现货品质保证
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IRF740STRL
Vishay Silicon..
D2PAK（TO-263）
2023+
500
全新原装进口现货品质保证
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IRF740STRLPBF
Vishay/Silicon..
TO-263-3,Dsu..
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
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QQ询价
IRF740STRL
Vishay/Silicon..
TO-263-3,Dsu..
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
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IRF740STRL
IR
D2-Pak
2023+
12557
全新进口原装现货,特价热卖
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电话：0755-83217923
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IRF740STRLPBF
IR
D2-Pak
2023+
11357
全新进口原装现货,特价热卖
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IRF740STRLPBF
NO MFR
原厂原包装
2023+
24586
全新原装现货，价格优惠
IRF740STRLPBF
IR
原装现货
2023+
4500
相关型号： IRF740SPBF IRF740S IRF740PBF IRF740LCSTRR IRF740LCSTRL IRF740LCS

IRF740STRL
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IRF740STRL参数：MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： IR(F,L,Z)SeriesSide1 IR(F,L,Z)SeriesSide2
标准包装：800
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：400V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：10A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：550毫欧@6A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：63nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1400pF@25V
功率-最大值：3.1W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK

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