IRF7416GTRPBF参数：MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)标准包装：4,000系列：HEXFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：10A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：20毫欧@5.6A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：92nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1700pF@25V功率-最大值：2.5W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SO
