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IRF7421D1TR

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IRF7421D1TRPBF 优势库存

SOP8

2023+

5630

全新原厂原装现货

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IRF7421D1TRPBF

Infineon Techn..

8-SO

2023+

2171

全新原装进口现货品质保证

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Infineon Techn..

8-SO

2023+

500

全新原装进口现货品质保证

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IOR

SOP-8

2023+

34557

原装现货价格优势

深圳市科锦电子有限公司

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IRF7421D1TR

SOP-8

2023+

1620

全新进口原装现货,保证质量

深圳市科锦电子有限公司

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IRF7421D1TRPBF

InternationalR..

8-SOIC(0.154..

2023+

15350

全新进口原装现货品质保证

深圳市科锦电子有限公司

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IRF7421D1TR

InternationalR..

8-SOIC(0.154..

2023+

1250

全新进口原装现货品质保证

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IRF7421D1TR

InternationalR..

8-SOIC（3.9mm）

2023+

6000

品质保证,价格优惠

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IRF7421D1TRPBF

SOIC-8

2023+

26000

晶体管

IRF7421D1TRPBF

进口原装库房现货

2023+

5600

相关型号： IRF7421D1PBF IRF7421D1 IRF7420TRPBF IRF7420TR IRF7420PBF IRF7420

IRF7421D1TR
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IRF7421D1TR参数：MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：4,000
系列：FETKY™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：二极管（隔离式）
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：5.8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：35 毫欧 @ 4.1A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：27nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：510pF @ 25V
功率 - 最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SO

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